LPDDR5 опционально поддерживает линию Link Error Correcting Code.

Отсутствие чистовой версии стандарта не помешало производителям памяти, в частности - Samsung, завершить разработку микросхем LPDDR5 ещё в середине прошлого года, сообщает comments.ua.

Публикация стандарта JESD209-5 Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) стала отмашкой для подготовки к выпуску смартфонов с новой версией мобильной памяти.

На старте память LPDDR5 представлена со скоростью обмена по интерфейсу с производительностью 6400 МТ/с (примерно 6400 Мбит/с). Это в два раза выше, чем в первой версии спецификации LPDDR4, опубликованной в 2014 году, и в полтора раза больше по сравнению с современной LPDDR4X с пропускной способностью I/O 4266 Мбит/с. Увеличение скорости передачи данных окажется востребовано как в мобильных устройствах - смартфонах, планшетах и сверхтонких ноутбуках, так и в новых областях применения, например, в «умной» автомобильной электронике.

Для автомобильной электроники, например, память LPDDR5 опционально поддерживает линию Link Error Correcting Code (ECC) между DRAM и SoC для постоянной коррекции ошибок. Сбой в автомобильной системе чреват тяжкими последствиями, поэтому надёжности данным уделяется повышенное внимание. Не меньшее внимание уделено энергоэффективности новой версии памяти. Введён новый режим «глубокого сна» с двукратным снижением потребления в режиме простоя по сравнению с аналогичным режимом памяти LPDDR4. В общем случае можно говорить примерно о 30 % снижении потребления памяти LPDDR5 в сравнении с памятью LPDDR4X.

Рост пропускной способности LPDDR5, кстати, достигнут не только за счёт повышения рабочих частот, но также за счёт новой организации банков памяти. Число банков может быть 8, как раньше, так и 16. Тактовые частоты в архитектуре LPDDR5 могут отличаться друг от друга, как и вводится зональная регенерация памяти, что также добавляет эффективности в работе. LPDDR5 с пропускной способностью 6400 Мбит/с работает с напряжением 1,1 В. Будет выпускаться память с пропускной способностью 5500 Мбит/с с напряжением 1,05 В.