Samsung оштрафовали на $400 млн за нарушение патента
Окружной суд Техаса наложил штраф в размере $400 млн на южнокорейскую компанию Samsung за нарушение патента, принадлежащего бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US).
Как пишет агентство Bloomberg, группа компаний нарушила соглашение между KAIST и производителем компьютерных компонентов Intel на производство транзистора по технологии FinFet, позволяющей увеличить производительность микрочипа и одновременно уменьшить его энергопотребление.
При этом представители Samsung с сожалением отреагировали на иск и заявили, что компания разрабатывала технологию вместе с Корейским институтом, и таким образом это нельзя считать нарушением прав. Ответчик собирается обжаловать решение окружного суда Техаса.
Еще один штраф за нарушение патента компании был присужден в конце мая калифорнийским судом. Южнокорейского производителя высокотехнологичных компонентов обязали выплатить американской компании Apple почти $539 млн за использование промышленного образца и изобретения.





Политика «ISW: Путін підтвердив максималістські цілі, оголивши провал «миротворчої» стратегії Трампа»
Мир «Верховный суд Норвегии отказался освобождать климатических активистов от тюрьмы»
Политика ««Слуга народу» готує оновлену партійну стратегію на період війни»
Происшествия «Стокгольм и Варшава договорились о передаче подлодки HMS Södermanland в 2027 году»
Мир «Великобритания расширила антироссийские санкции на фоне ударов по «теневому флоту» РФ»
Происшествия «Під Покровськом зростає червона зона, ворог не зникає з району повністю, присутність безперервна, резерви у них є»